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  • 型号: BSS159N L6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSS159N L6327由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS159N L6327价格参考。InfineonBSS159N L6327封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSS159N L6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS159N L6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Depletion

描述

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23MOSFET N-CH 60V 0.23A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

耗尽模式

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

230 mA

Id-连续漏极电流

230 mA

品牌

Infineon Technologies

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSS159N L6327SIPMOS®

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSS159N_Rev1.32.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42efc1b4ad3

产品型号

BSS159N L6327

PCN过时产品

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

360 mW

Pd-功率耗散

360 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

3500 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3500 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

2.9 ns

下降时间

2.9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.4V @ 26µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

44pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

2.9nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.5 欧姆 @ 160mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-SOT23-3

其它名称

BSS159NL6327HTSA1
SP000247297

典型关闭延迟时间

9 ns

功率-最大值

360mW

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

230mA (Ta)

系列

BSS159

通道模式

Depletion

配置

Single

零件号别名

BSS159NL6327HTSA1

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